초격차
삼성전자가 10월 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 테크데이’라는 행사를 열었다.
삼성전자는 행사에서 차별화된 기술력을 선보였다.
이 행사에서 삼성전자는 EUV를 적용한 7nm LPP 파운드리 공정, 256GB 3DS RDIMM, QLC 서버 SSD, 6세대 3D NAND, 2세대 Z-SSD 등을 공개했다.
삼성전자, EUV를 파운드리 공정에 세계 최초 도입
업계에서 10년 이상 기다린 EUV 양산이 드디어 시작되었다.
(*) EUV (Extreme Ultra Violet) : 극자외선이라는 빛을 이용하여 회로 패턴을 그리는 기술
삼성전자가 세계 최초로 EUV 공정 7nm LPP 웨이퍼 생산에 들어갔다.
(*) 7nm LPP (Low Power Plus) : 업계 최초로 EUV를 적용한 7nm(10억분의 1m) 파운드리 공정
EUV 장비를 이용하면 1개의 마스크로 가능한 레이어를 ArF-I 장비는 최대 4개의 마스크를 사용해야 한다.
삼성전자의 7nm LPP EUV 공정은 EUV를 사용하지 않는 공정보다 총 마스크 수를 20% 줄일 수 있다.
초기 EUV 생산은 삼성전자 S3 공장에서 시작된다.
삼성전자는 대량 생산이 필요한 고객을 위해 2020년까지 EUV 전용 라인을 건설 중이다.
DRAM에도 EUV 조기 도입
DRAM에도 EUV 장비가 시장 예상보다 빠르게 도입된다.
파운드리와 마찬가지로 삼성전자가 주도한다.
삼성전자가 현재 이미 양산 중인 1ynm에 일부 공정에 EUV를 적용할 전망이다.
(*) 1ynm : 10나노 중후반, 1nm = 10억분의 1m
원래 1ynm는 ArF-I 장비만 활용하도록 공정 설계가 되었다.
삼성전자는 파운드리 용으로 발주한 EUV 장비 활용도를 높이고, 차세대 1znm 공정에 원활한 적용을 위해 EUV 장비를 일부 레이어에 시험 적용할 계획이다.
경쟁사 SK하이닉스는 1znm에 시험적으로 EUV 장비를 도입할 계획이다.
(*) 1znm : 10나노 중반
마이크론은 1βnm 공정에 가서야 EUV를 도입할 전략이다.
1znm 이하에서는 선제투자를 통해 EUV 장비 컨트롤 경험이 높은 업체의 공정 경쟁력이 크게 올라갈 것이다.
삼성전자가 1ynm부터 EUV를 공정에 적용하는 이유다.
이미 DRAM은 스케일링의 난이도가 극한에 달했다.
EUV는 아직 미완성 장비다. 시간이 갈수록 장비의 완성도가 높아지는 장비다.
EUV가 완성되지 않은 현 시점 삼성전자처럼 초기에 공격적인 투자를 하는 업체의 경쟁력이 향후 장비 완성도가 높아질 시점에 돋보일 것이다.
과거 3D NAND도 2D NAND보다 양산성이 높아진 시점이 2015년이었다.
삼성전자는 2012년 24단 3D NAND부터 조기 투자를 했기 때문에 2015년 이후 경쟁사 대비 탁월한 경쟁력이 가능했다.
경쟁사들은 2015년부터 3D NAND에 본격적인 투자를 시작했다.
128단 3D NAND 공개
삼성전자가 ‘테크데이’ 행사에서 6세대(128단) 3D NAND를 공개했다.
(*) 6세대 3D NAND : 128단 3D NAND
공개된 제품은 2019년 양산 예정이다.
이미 양산을 시작한 92단 3D NAND 대비 생산성이 30% 이상 높다.
경쟁사들 일부는 아직 96단 3D NAND 개발도 못 마쳤다.
삼성전자는 128단 3D NAND도 92단과 마찬가지로 싱글 스태킹 공정을 적용한다고 했다.
(*) 싱글 스택킹 (Single Stacking) : 3D NAND를 한번에 Etching 하는 기술
싱글 스태킹이란 3D NAND 채널 형성을 위한 홀을 에칭할 때 1번에 하는 방법이다.
경쟁사들은 모두 64단부터 2번에 걸쳐 홀을 뚫는 더블 스태킹을 택했다.
(*) 더블 스택킹 (Double Stacking) : 3D NAND를 두번에 걸쳐 Etching 하는 기술
싱글 스태킹이 단가 측면에서 훨씬 앞선다.
부가 회로가 없어 NAND 소자의 동작 안정성도 높다.
삼성전자가 128단 까지 싱글 스태킹을 할 수 있는 이유는 홀 에칭 기술력이 경쟁사와 비교할 수 없을 만큼 탁월하기 때문이다.
재료를 균일하고 얇게 증착하는 기술력도 중요하다.
단수가 높아지면 전체 소자 높이를 낮추기 위해 재료를 얇게 증착해야 할 필요성이 커진다.
막질이 얇아질수록 소자의 오동작 확률이 커진다.
단 수가 올라가면 하중이 커져 막 구조가 틀어지기도 한다.
증착 기술력이 낮은 업체는 오동작을 막기 위해 여러가지 보정 회로를 넣어야 한다.
이는 칩사이즈가 커지고 원가가 높아지는 원인으로 작용한다.
단수가 올라갈수록 더블 스태킹과 싱글 스태킹 간 경쟁력 차이는 벌어진다.
실적 추정과 밸류에이션
현재 시장의 2019년 삼성전자 영업이익 컨센서스는 감익이다.
당사는 증익을 추정한다.
단기 실적 모멘텀은 소폭 둔화될 전망이다.
2018년 4분기 영업이익 16.7조원(-5% q-q)을 예상한다.
DRAM 가격 하락 및 비수기 진입이 실적 감소 요인이다.
비수기 진입 감안했을 때 나쁘지 않은 실적이다.
분기 영업이익 증가 추세 회복은 2019년 2분기부터 가능할 것이다.
현재 삼성전자 밸류에이션이 2019년 기준 PER 5.9배다.
역사적 저점 수준이고 글로벌 경쟁사 대비 크게 저평가 되어 있다.
